Накопитель выполнен в стандартном форм-факторе M.2 2280 и использует интерфейс PCIe Gen3 x4.
Объем: 512 ГБ.
Тип памяти: 3D QLC NAND (Quad-Level Cell).
Производительность:
Последовательное чтение: до 2200 МБ/с.
Последовательная запись: до 1070 МБ/с.
Случайное чтение/запись (IOPS): 150K / 260K.
Надежность:
Ресурс (TBW): 180 ТБ (суммарный объем записанных данных).
Время наработки на отказ (MTBF): 2 млн часов.
Дополнительные функции: Поддержка шифрования AES 256-бит, протокол NVMe 1.3, защита данных при потере питания (data at rest).