Линейка IGBT-модулей SEMITOP® от Semikron включает в себя два последовательно соединенныx (полумостовыx) IGBT-устройства.
Технические параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 616
Рабочая температура (Tj), °C -40…+125
Корпус SEMITRANS 3
Channel Type N
Configuration Dual
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 616 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Screw Mount
Number of Transistors 2
Package Type SEMITRANS3
Pin Count 7
Switching Speed 12kHz
Transistor Configuration Half Bridge
Вес, г 398