Основные характеристики ядер
Количество производительных ядер 4
Потоков производительных ядер 8
Базовая частота P-ядер 3.06 ГГц
Турбо-частота P-ядер 3.33 ГГц
Поддержка SMT/Hyper-Threading Есть
Поддерживаемые инструкции MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, SSE4.2, EM64T, VT-x
Поддержка AVX-512 Нет
Технология автоматического буста Turbo Boost 1.0
Техпроцесс и архитектура
Техпроцесс 45 нм
Название техпроцесса High-K Metal Gate
Сегмент процессора Desktop
Кэш
Кэш L1 Instruction: 4 x 32 KB | Data: 4 x 32 KB КБ
Кэш L2 4 x 0.25 МБ
Кэш L3 8 МБ
Энергопотребление и тепловые характеристики
TDP 130 Вт
Максимальная температура 68 °C
Рекомендации по охлаждению Active
Память
Тип памяти DDR3
Скорости памяти 800/1066 MHz МГц
Количество каналов 3
Максимальный объем 24 ГБ
Поддержка ECC Нет
Поддержка регистровой памяти Нет
Профили разгона RAM Есть
Графика (iGPU)
Интегрированная графика Нет
Разгон и совместимость
Разблокированный множитель Нет
Тип сокета LGA 1366