Ядро Bloomfield
Количество ядер 4
Количество потоков 8
Техпроцесс, нм 45 high-k
Разъем LGA 1366
Частота, МГц 3200
Множитель 24
FSB/HT/QPI 4.8 GT/s
кэш L1, КБ 32+32 x4
кэш L2, КБ 256x4
кэш L3, КБ 8192
Напряжение питания, В 0.85~1.375
TDP, Вт 130
Кол-во транзисторов, млн 731
Площадь кристалла, кв. мм 263
Предельная температура, °C 67.9
Набор инструкций RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, SSE3, Supplemental SSE3, SSE4.2
Прочие особенности HT,VT,EIST
Идеальное состояние, без сколов и потёртостей.