Наименование: GT50JR22

Тип транзистора: IGBT

Маркировка: 50JR22

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| , A: 50

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое V: 1.55

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер V: 7.5